Ein Mehrskalenansatz zur numerischen Simulation und Analyse der metallorganischen Gasphasenepitaxie

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ist ein wichtiger Verarbeitungsschritt in der Halbleiterprozesstechnik zur Herstellung von III‐V‐Verbindungshalbleitern, auf deren Grundlage moderne elektronische und optoelektronische Bauelemente hergestellt werden. Daher besteht ein großer Bedarf hins...

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Published inChemie ingenieur technik Vol. 78; no. 6; pp. 679 - 688
Main Authors Brenner, G., Mukinovic, M., Mesic, E., Schmid, R., Tafipolsky, M., Khanderi, J., Fischer, R. A.
Format Journal Article
LanguageEnglish
Published Weinheim WILEY‐VCH Verlag 01.06.2006
Subjects
Gasphasenreaktionen
Halbleiter
Prekursoren
Simulation
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Summary:Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ist ein wichtiger Verarbeitungsschritt in der Halbleiterprozesstechnik zur Herstellung von III‐V‐Verbindungshalbleitern, auf deren Grundlage moderne elektronische und optoelektronische Bauelemente hergestellt werden. Daher besteht ein großer Bedarf hinsichtlich der Optimierung bestehender Verfahren bzw. der Untersuchung des Potenzials von neuen Prozessen, beispielsweise durch den Einsatz von alternativen Prekursoren. Ziel ist es dabei, eine Verbesserung der Qualität der abgeschiedenen kristallinen Schichten zu erhalten. Hierbei spielt in mehrfacher Hinsicht die numerische Simulation eine zunehmende Rolle. Zum einen lassen sich auf diesem Wege wichtige Prozessparameter vorab berechnen, vorausgesetzt die dem Prozess zugrunde liegenden physikalischen und chemischen Vorgänge lassen sich hinreichend genau quantifizieren. Zum anderen bietet die numerische Simulation Ansätze, die zu einem tieferen Verständnis dieser physikalischen und chemischen Vorgänge führen können.
ISSN:0009-286X
1522-2640
DOI:10.1002/cite.200500166