沉积条件对CVD-SiC涂层组织形貌和抗氧化性能的影响

TQ127.1; 采用化学气相沉积法在高纯石墨基体表面制备了碳化硅(SiC)涂层,研究了基体位置和沉积压力对涂层组织形貌和抗氧化性能的影响.结果表明:随着基体与布气盘的距离增大,晶粒 生长方向的择优性先增强后减弱,其晶粒的砂砾状生长特征也呈现先增强后减弱的变化规律;当基体与布气盘的距离较小时涂层易出现气孔,随着距离增大,气孔逐渐消失,涂层抗氧化性能升高,而随着距离的进一步增大,开始出现分界现象,造成涂层抗氧化性能下降.随着沉积压力增大,晶粒 生长方向的择优性被弱化,晶粒的砂砾状特征也随之减弱;当沉积压力为2 kP a时,涂层无明显缺陷,其抗氧化性能较好;而当沉积压力增大到5 kP a和20 k...

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Published in郑州大学学报（工学版） Vol. 42; no. 6; pp. 74 - 79
Main Authors 孙佳庆, 李江涛, 郭春文, 范宇恒, 张东生, 赵红亮
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 郑州大学 材料科学与工程学院,河南 郑州 450001%巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司,河南 巩义451200 2021
Subjects
化学气相沉积;SiC涂层;基体位置;沉积压力;组织形貌;抗氧化性
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ISSN1671-6833
DOI10.13705/j.issn.1671-6833.2021.04.025

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Summary:TQ127.1; 采用化学气相沉积法在高纯石墨基体表面制备了碳化硅(SiC)涂层,研究了基体位置和沉积压力对涂层组织形貌和抗氧化性能的影响.结果表明:随着基体与布气盘的距离增大,晶粒 生长方向的择优性先增强后减弱,其晶粒的砂砾状生长特征也呈现先增强后减弱的变化规律;当基体与布气盘的距离较小时涂层易出现气孔,随着距离增大,气孔逐渐消失,涂层抗氧化性能升高,而随着距离的进一步增大,开始出现分界现象,造成涂层抗氧化性能下降.随着沉积压力增大,晶粒 生长方向的择优性被弱化,晶粒的砂砾状特征也随之减弱;当沉积压力为2 kP a时,涂层无明显缺陷,其抗氧化性能较好;而当沉积压力增大到5 kP a和20 kP a时,涂层分别出现了分界和分层缺陷,导致其抗氧化性能下降.基体位置为450 m m、沉积压力为2 kP a时能够制备出组织致密、与基体结合较好、抗氧化性能较优的Si C涂层.
ISSN:1671-6833
DOI:10.13705/j.issn.1671-6833.2021.04.025