溶胶凝胶法制备Zn掺杂TiO2薄膜的表征和光电化学行为

采用溶胶?凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn?TiO2),研究不同热处理温度下Zn 掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn?TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897 mV。SEM?EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn?TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott?Shottk...

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Published in中国有色金属学报(英文版) Vol. 26; no. 8; pp. 2109 - 2116
Main Authors 乔丽英, 谢奉妤, 谢明辉, 龚才华, 王维朗, 高家诚
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 重庆大学 材料科学与工程学院,重庆 400045 2016
重庆大学 国家镁合金材料工程技术研究中心,重庆 400044%四川师范大学 化学与材料科学学院,成都,610068%重庆大学 材料科学与工程学院,重庆,400045
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ISSN1003-6326
DOI10.1016/S1003-6326(16)64325-X

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Summary:采用溶胶?凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn?TiO2),研究不同热处理温度下Zn 掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn?TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897 mV。SEM?EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn?TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott?Shottky曲线可知,Zn?TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负,载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下,300°C热处理后的Zn?TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。
ISSN:1003-6326
DOI:10.1016/S1003-6326(16)64325-X