Sb、Ce掺杂Mg2 Ge的第一性原理研究

O471; 此文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法系统的计算了 Sb、Ce掺杂Mg2Ge的能带结构、态密度以及光学性质,获得了 Mg2Ge掺杂Sb后,费米面进入导带,呈现n型导电;Mg2Ge掺杂Ce后,上自旋电子在费米能级附近处的价带和导带有一部分重叠,呈现半金属特性,进入导带电子数目增多,导电性增强.Sb、Ce掺杂Mg2Ge后,其主要吸收峰都小于未掺杂Mg2Ge,在可见光区域的透过率增大;Sb掺入后,在能量低于2.6 eV反射谱出现红移,Ce掺入后Mg2Ge的吸收范围明显宽于本征Mg2Ge;掺杂改善了 Mg2Ge对红外光子的吸收等有益结果....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in原子与分子物理学报 Vol. 39; no. 5; pp. 141 - 147
Main Authors 钱国林, 谢泉, 王熠欣, 罗祥燕
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 2022
Subjects
掺杂
第一性原理
光学性质
Mg2Ge
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:O471; 此文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法系统的计算了 Sb、Ce掺杂Mg2Ge的能带结构、态密度以及光学性质,获得了 Mg2Ge掺杂Sb后,费米面进入导带,呈现n型导电;Mg2Ge掺杂Ce后,上自旋电子在费米能级附近处的价带和导带有一部分重叠,呈现半金属特性,进入导带电子数目增多,导电性增强.Sb、Ce掺杂Mg2Ge后,其主要吸收峰都小于未掺杂Mg2Ge,在可见光区域的透过率增大;Sb掺入后,在能量低于2.6 eV反射谱出现红移,Ce掺入后Mg2Ge的吸收范围明显宽于本征Mg2Ge;掺杂改善了 Mg2Ge对红外光子的吸收等有益结果.
ISSN:1000-0364
DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.056003