基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响

O472; 液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction,RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象...

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Published in原子与分子物理学报 Vol. 39; no. 4; pp. 144 - 150
Main Authors 李家伟, 丁召, 黄泽琛, 李耳士, 宋娟, 蒋冲, 王一, 罗子江, 郭祥
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025%贵州大学 微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025 2022
贵州财经大学 信息学院, 贵阳550025
贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳550025
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025
贵州大学 微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025
Subjects
液滴外延;Al、Ga组分;成核;浸润角
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Summary:O472; 液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction,RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释.
ISSN:1000-0364
DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.046006