In2O3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性

O643%O644; 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM), X射线能谱(EDX), X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B (RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着I...

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Published in物理化学学报 no. 5; pp. 1021 - 1027
Main Authors 闫伟平, 王德军, 陈礼平, 卢永春, 谢腾峰, 林艳红
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 吉林大学化学学院,长春130012 2013
Subjects
In2O3-sensitized ZnO
表面光电压
Visible-light photoelectrocatalytic activity
Nanorod array
光电流
纳米棒阵列
挡光-照光
In2O3敏化ZnO
Photocurrent density-potential
Photocurrent
光电流密度-电位
Surface photovoltage
可见光光电催化活性
On-off il umination
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ISSN1000-6818
DOI10.3866/PKU.WHXB201303043

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Summary:O643%O644; 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM), X射线能谱(EDX), X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B (RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着In2O3敏化量的改变,光电流和开路电压也随之改变.并探讨了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系.结果表明,适量In2O3敏化的ZnO光催化剂在可见光下2 h内对罗丹明B的降解效率达到95%,是单纯ZnO纳米棒阵列的2.4倍.
ISSN:1000-6818
DOI:10.3866/PKU.WHXB201303043