Gd3(Al,Ga)5O12∶Ce晶体生长与闪烁性能研究

O734; 掺铈钆铝镓石榴石(Gd3(Al,Ga)5 O12∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景.本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征.利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料,采用XRD对合成的原料进行了物相分析,结果表明,在1 500℃下煅烧12h合成的多晶料为纯GAGG相.利用提拉法生长出尺寸?50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体,测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱,结果表明,7mm厚样品 550 n...

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Published in人工晶体学报 Vol. 52; no. 12; pp. 2156 - 2160
Main Authors 王海丽, 李辉, 周南浩, 石爽爽, 苏健, 张微, 陈建荣, 黄存新
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 北京中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018 2023
中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018%中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018
Subjects
GAGG∶Ce
scintillation property
scintillation crystal
闪烁性能
Czochralski method
高温固相反应法
high temperature solid state reaction method
闪烁晶体
提拉法
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2023.12.010

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Summary:O734; 掺铈钆铝镓石榴石(Gd3(Al,Ga)5 O12∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景.本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征.利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料,采用XRD对合成的原料进行了物相分析,结果表明,在1 500℃下煅烧12h合成的多晶料为纯GAGG相.利用提拉法生长出尺寸?50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体,测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱,结果表明,7mm厚样品 550 nm 的透过率为 81.5%,晶体 X 射线激发发射峰中心波长位于 550 nm,晶体的光输出为59 000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2023.12.010