α相和β相BiNbO4:Eu3+的荧光性能

TB34%TN304; 采用高温固相法合成出正交相和三斜相结构的BiNbO4:Eu3+样品,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、吸收光谱和荧光光谱对样品的结构和光学性能进行了研究.结果表明:900℃合成样品为正交相结构α-BiNbO4,而1200℃得到三斜相结构β-BiNbO4.吸收光谱得到α相和β相BiNbO4的光学带隙分别为2.69 eV和2.96 eV,与第一性原理的理论结果2.640 eV和3.032 eV相吻合.Eu3+掺杂诱导二者的光学带隙蓝移至2.89 eV和3.05 eV,有效改变了其光响应范围.荧光光谱表明:Eu3+在两种结构的最强荧光峰均来自5 D0→7 F2电偶极跃迁,最...

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Published in人工晶体学报 Vol. 50; no. 9; pp. 1709 - 1714
Main Authors 李强, 皇甫战彪, 李海宁, 董兴邦, 朱祥, 郝蕴琦, 王征
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南省磁电信息功能材料重点实验室,郑州 450002 2021
Subjects
发光材料;BiNbO4;Eu掺杂;荧光光谱;拉曼光谱;第一性原理;光响应;吸收性能
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2021.09.014

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Summary:TB34%TN304; 采用高温固相法合成出正交相和三斜相结构的BiNbO4:Eu3+样品,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、吸收光谱和荧光光谱对样品的结构和光学性能进行了研究.结果表明:900℃合成样品为正交相结构α-BiNbO4,而1200℃得到三斜相结构β-BiNbO4.吸收光谱得到α相和β相BiNbO4的光学带隙分别为2.69 eV和2.96 eV,与第一性原理的理论结果2.640 eV和3.032 eV相吻合.Eu3+掺杂诱导二者的光学带隙蓝移至2.89 eV和3.05 eV,有效改变了其光响应范围.荧光光谱表明:Eu3+在两种结构的最强荧光峰均来自5 D0→7 F2电偶极跃迁,最强荧光峰分别位于615 nm和611 nm.Eu3+在β-BiNbO4中的荧光强度更高,而且其5 D0→7 F2和5 D0→7 F1的荧光强度比值更大.与Eu3+相似,Er3+在β-BiNbO4中具有更高的上转换荧光强度,其强度约是在α-BiNbO4中荧光的近40倍,说明三斜结构BiNbO4更适合做稀土离子的基质材料.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2021.09.014