基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究

O472; 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构.利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P?I以及V?I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in量子电子学报 Vol. 40; no. 1; pp. 62 - 68
Main Authors 魏士钦, 王瑶, 王梦真, 王芳, 刘俊杰, 刘玉怀
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心, 河南 郑州 450001%郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心, 河南 郑州 450001 2023
郑州唯独电子科技有限公司, 河南 郑州 450001
郑州大学产业技术研究院有限公司, 河南 郑州 450001
Subjects
激光技术
深紫外激光二极管
电子泄露
阱式阶梯电子阻挡层
AlGaN
Online AccessGet full text
ISSN1007-5461
DOI10.3969/j.issn.1007-5461.2023.01.007

Cover

More Information
Summary:O472; 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构.利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P?I以及V?I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化.
ISSN:1007-5461
DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2023.01.007