从头算分子动力学研究H2在缺陷石墨烯负载的Cu19团簇上解离吸附

本文运用从头算分子动力学方法研究了 H2在Cu19团簇和缺陷石墨烯负载Cu19团簇上的解离吸附.分子水平上的动力学轨迹表明,氢气在Cu19上解离吸附的最佳位点是桥位-空位,两个氢原子吸附在Cu原子两边的桥位和空位上,吸附能为-0.74 eV.在缺陷石墨烯负载的Cu19团簇上,两个氢原子的最佳吸附位置是吸附在两个空位上,吸附能为-1.27 eV.总的来说,缺陷石墨烯负载Cu19团簇上的平均吸附能为-1.07 eV,比Cu19团簇上的-0.58 eV多约84％,这表明缺陷石墨烯负载Cu19簇上对于氢气的解离吸附能力大大增强.d带中心向费米能级靠近解释了为什么缺陷石墨烯负载Cu19团簇吸附能力更强....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in化学物理学报（英文版） Vol. 36; no. 6; pp. 747 - 754
Main Authors 刘乃贵, 高得鲁, 王敦友
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014 2023
Subjects
H2 dissociative adsorption
Ab initio molecular dynamics
从头算分子动力学
Adsorption energy
氢气的解离吸附
密度泛函理论
Density function theory
Defective graphene-supported Cu19 cluster
吸附能
Online AccessGet full text
ISSN1674-0068
DOI10.1063/1674-0068/cjcp2211168

Cover

More Information
Summary:本文运用从头算分子动力学方法研究了 H2在Cu19团簇和缺陷石墨烯负载Cu19团簇上的解离吸附.分子水平上的动力学轨迹表明,氢气在Cu19上解离吸附的最佳位点是桥位-空位,两个氢原子吸附在Cu原子两边的桥位和空位上,吸附能为-0.74 eV.在缺陷石墨烯负载的Cu19团簇上,两个氢原子的最佳吸附位置是吸附在两个空位上,吸附能为-1.27 eV.总的来说,缺陷石墨烯负载Cu19团簇上的平均吸附能为-1.07 eV,比Cu19团簇上的-0.58 eV多约84％,这表明缺陷石墨烯负载Cu19簇上对于氢气的解离吸附能力大大增强.d带中心向费米能级靠近解释了为什么缺陷石墨烯负载Cu19团簇吸附能力更强.积分晶体轨道哈密顿布居分析表明,与Cu19团簇相比,在缺陷石墨烯支持的Cu19簇上,氢原子与其键合的Cu原子之间更强的键相互作用导致了更大的吸附能.
ISSN:1674-0068
DOI:10.1063/1674-0068/cjcp2211168