一种InP HEMT分布小信号模型建模方法

TN386; 提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法.在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征.为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感.在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证.此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4％,这也证明了所提出建模方法的高建模精度....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 2; pp. 511 - 516
Main Authors 戚军军, 吕红亮, 程林, 张玉明, 张义门, 赵锋国, 段兰燕
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安710071%中兴通讯股份有限公司,广东深圳518057 2022
Subjects
高电子迁移率晶体管
小信号模型
model parameters
提取方法
distributed model
high electron mobility transistor(HEMT)
分布式模型
模型参数
small signal model
extraction methods
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.02.019

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Summary:TN386; 提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法.在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征.为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感.在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证.此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4％,这也证明了所提出建模方法的高建模精度.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.02.019