基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器

TN304.2%TN315+.3%TN773; 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器.为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺.混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 40; no. 5; pp. 634 - 637
Main Authors 牛斌, 钱骏, 范道雨, 王元庆, 梅亮, 戴俊杰, 林罡, 周明, 陈堂胜
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京安太芯电子有限公司,江苏南京210016%南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016 2021
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,江苏南京210016%南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016
Subjects
砷化镓肖特基二极管;薄膜电路;次谐波混频器
membrane circuit
sub harmonic mixer
GaAs SBD
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2021.05.009

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Summary:TN304.2%TN315+.3%TN773; 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器.为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺.混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2021.05.009