一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法

TN385; 提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路.在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应.与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰.除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似.该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似.在0.1～40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 39; no. 3; pp. 295 - 299
Main Authors 戚军军, 吕红亮, 张玉明, 张义门, 张金灿
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安 710071%河南科技大学电气工程学院,河南洛阳,471023 2020
Subjects
小信号模型
parameter extraction
InP HBT
参数提取
磷化铟异质结双极型晶体管
direct extraction method
small-signal model
直接提取法
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2020.03.005

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Summary:TN385; 提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路.在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应.与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰.除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似.该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似.在0.1～40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2020.03.005