厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜

O484.1; 利用原子层沉积方法制备V2O5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制, 并对纳米晶V2O5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V2O5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙, 这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 38; no. 1; pp. 3 - 7
Main Authors 张天宁, 王书霞, 黄田田, 魏威, 陈鑫, 戴宁
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学,北京 100049%中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海,200083 2019
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
Subjects
五氧化二钒
atomic layer deposition
vanadium pentoxide
薄膜
原子层沉积
thin films
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Summary:O484.1; 利用原子层沉积方法制备V2O5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制, 并对纳米晶V2O5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V2O5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙, 这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.01.001