利用高阶DBR实现简单的2.0μm GaSb激光器

TN2; 利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17.5 dB的单模激光输出.CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化,器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内,器件都保持单横模工作状态.24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22.5 dB.器件的激射波长都在2.0 μm左右....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 37; no. 6; pp. 653 - 656
Main Authors 黄书山, 杨成奥, 张宇, 谢圣文, 廖永平, 柴小力, 徐应强, 牛智川
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049 2018
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083
Subjects
quantum well
laser diodes
激光二极管
infrared
红外
量子阱
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Summary:TN2; 利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器,避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17.5 dB的单模激光输出.CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化,器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内,器件都保持单横模工作状态.24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22.5 dB.器件的激射波长都在2.0 μm左右.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.002