高功率单高阶模倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器

O472+.8; 提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 mW,边模抑制比将近30 dB.在外界为360 K高温时,输出功率仍可达4 mW.且其远场表现出的高斯光束发散角较小....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 37; no. 2; pp. 168 - 172
Main Authors 王霞, 郝永芹, 晏长岭, 王作斌, 王志伟, 谢检来, 马晓辉, 姜会林
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022%长春理工大学科技部国家纳米操纵与制造国际联合研究中心,吉林长春,130022%长春理工大学空间光电技术研究所,吉林长春,130022 2018
Subjects
single-higher-mode
high-tem-perature
高温
semiconductor laser
半导体激光器
单高阶模
vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)
倒置表面浮雕
垂直腔面发射激光器
inverted surface relief
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.007

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Summary:O472+.8; 提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 mW,边模抑制比将近30 dB.在外界为360 K高温时,输出功率仍可达4 mW.且其远场表现出的高斯光束发散角较小.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.007