片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

• Published in: 红外与毫米波学报 Vol. 36; no. 2; pp. 220 - 234
• Main Authors: 郭春妍, 徐建星, 彭红玲, 倪海桥, 汪韬, 田进寿, 牛智川, 吴朝新, 左剑, 张存林
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室,陕西西安710119 2017; 西安交通大学,陕西西安710049; 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083%中国科学院半导体研究所固态光电子信息技术实验室,北京,100083%中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083%中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室,陕西西安,710119%西安交通大学,陕西西安,710049%首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,北京,100048; 中国科学院大学,北京100049%中国科学院大学,北京100049
• Subjects: 片上太赫兹天线集成; epitaxial layer transfer; 化学湿法腐蚀; on-chip THz antenna integrated device; 外延层转移; wet chemical etching; LT-GaAs
• ISSN: 1001-9014
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.016

TN36; 提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106 Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs (SI-GaAs)衬底层与Al09Ga0.1As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.