基于再生长欧姆接触工艺的220GHz InAlN/GaN场效应晶体管

TN385; 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Ks=1V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 36; no. 1; pp. 6 - 34
Main Authors 尹甲运, 吕元杰, 宋旭波, 谭鑫, 张志荣, 房玉龙, 冯志红, 蔡树军
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄,050051 2017
Subjects
再生长n+-GaN欧姆接触
InAlN/GaN
regrown n +-GaN ohmic contacts
HFET
fT
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.002

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Summary:TN385; 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Ks=1V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.002