基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件

• Published in: 红外与毫米波学报 Vol. 35; no. 6; pp. 641 - 645
• Main Authors: 吕元杰, 冯志红, 张志荣, 宋旭波, 谭鑫, 郭红雨, 尹甲运, 房玉龙, 蔡树军
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄,050051 2016
• Subjects: heterostructure field-effect transistors (HFET); 异质结场效应晶体管(HFETs); maximum oscillation frequency(fmax); 电流增益截止频率(fT); InAlN/GaN; 最大振荡频率(fmax); unity current gain cut-off frequency (fT)
• ISSN: 1001-9014
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.001

TN385; 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的In-AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm,峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz,该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值.