用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管

TN3; 报道了用于超高速数字集成电路的0.5 μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 35; no. 3; pp. 263 - 266
Main Authors 牛斌, 程伟, 张有涛, 王元, 陆海燕, 常龙, 谢俊领
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京,210016 2016
Subjects
磷化铟
双异质结晶体管
static frequency divider
InP
heterojunction bipolar transistor
静态分频器
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.002

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Summary:TN3; 报道了用于超高速数字集成电路的0.5 μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.002