用于宽波段红外探测的InAs/GaSbⅡ型超晶格结构光学性质研究

TJ765.3+33; InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术,被视为第三代红外探测器的优质材料.本文介绍了长、短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质,对比超晶格和衬底的拉曼光谱,指认了结构中存在的主要拉曼振动模式,分波段光致发光谱揭示了器件存在近红外和远红外双波段特性.通过反射光谱、光电流谱以及宽波段红外透射光谱,表征了短波红外和长波红外的明显吸收特性,合理解释了基于InAs/GaSbⅡ型结构在近、中、远红外波段的探测功能.研究结果可为研制基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的双/多/宽波段红外探测器的结构设计和机理分析提供指导....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in航空兵器 Vol. 28; no. 6; pp. 95 - 99
Main Authors 李红凯, 李墨, 董尚威, 洪进, 陈晔, 敬承斌, 越方禹, 褚君浩
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 红外探测器技术航空科技重点实验室,河南 洛阳 471009%华东师范大学 物理与电子科学学院 极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241 2021
华东师范大学 物理与电子科学学院 极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241%中国空空导弹研究院,河南 洛阳 471009
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
Subjects
InAs/GaSb;Ⅱ型超晶格;多波段探测;拉曼光谱;光学性质;红外探测器
Online AccessGet full text
ISSN1673-5048
DOI10.12132/ISSN.1673-5048.2021.0014

Cover

More Information
Summary:TJ765.3+33; InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术,被视为第三代红外探测器的优质材料.本文介绍了长、短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质,对比超晶格和衬底的拉曼光谱,指认了结构中存在的主要拉曼振动模式,分波段光致发光谱揭示了器件存在近红外和远红外双波段特性.通过反射光谱、光电流谱以及宽波段红外透射光谱,表征了短波红外和长波红外的明显吸收特性,合理解释了基于InAs/GaSbⅡ型结构在近、中、远红外波段的探测功能.研究结果可为研制基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的双/多/宽波段红外探测器的结构设计和机理分析提供指导.
ISSN:1673-5048
DOI:10.12132/ISSN.1673-5048.2021.0014