基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体结构的太赫兹辐射产生

O434.3; 利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射.基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短激光脉宽、载流子寿命以及半导体厚度等参数对太赫兹辐射的影响和物理机制.结果显示,超短激光脉宽的增加会提高太赫兹脉冲的幅值,降低太赫兹脉冲中心频率和半峰全宽;载流子寿命和半导体材料厚度的增加对太赫兹辐射的中心频率和半峰全宽有不同程度的降低作用.通过分析不同参数对产生太赫兹辐射的影响,获得了该作用过程优化宽带太赫兹脉冲产生的途径和参数.本文结果对开展相关实验提供了较...

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Published in光电工程 Vol. 51; no. 12; pp. 118 - 127
Main Authors 黄彬, 刘翔, 余健雄, 杜海伟
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南昌航空大学仪器科学与光电工程学院,江西 南昌 330063%南昌航空大学仪器科学与光电工程学院,江西 南昌 330063 2024
南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室,江西 南昌 330063
Subjects
超短激光
terahertz
太赫兹
metals-insulators-semiconductors
异质结
脉宽
heterostructure
ultrashort laser
金属-绝缘体-半导体
pulse duration
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ISSN1003-501X
DOI10.12086/oee.2024.240249

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Summary:O434.3; 利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射.基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短激光脉宽、载流子寿命以及半导体厚度等参数对太赫兹辐射的影响和物理机制.结果显示,超短激光脉宽的增加会提高太赫兹脉冲的幅值,降低太赫兹脉冲中心频率和半峰全宽;载流子寿命和半导体材料厚度的增加对太赫兹辐射的中心频率和半峰全宽有不同程度的降低作用.通过分析不同参数对产生太赫兹辐射的影响,获得了该作用过程优化宽带太赫兹脉冲产生的途径和参数.本文结果对开展相关实验提供了较好的理论参考.
ISSN:1003-501X
DOI:10.12086/oee.2024.240249