基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计

TN722; 定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响.同时,选用了南京电子器件研究所的0.25 μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真.根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3～10％的效率提升.以此设计了一款X波段单级MMIC功放.经测试,该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88％....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in电子技术应用 Vol. 47; no. 4; pp. 67 - 76
Main Authors 邵煜伟, 陶洪琪
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016 2021
Subjects
功率放大器
高效率
输入谐波控制
MMIC
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:TN722; 定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响.同时,选用了南京电子器件研究所的0.25 μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真.根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3～10％的效率提升.以此设计了一款X波段单级MMIC功放.经测试,该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88％.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.201247