用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计

TN432; 介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计.提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的输出偏置电压.该环路配合恒定跨导偏置电路,可使放大器的开环增益保持在40 dB左右,不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响.该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元,配合全差分电流偏置电路,输出范围可达到轨到轨.此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比.当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时,电源纹波对输出信号几乎无影响....

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Published in电子技术应用 Vol. 47; no. 1; pp. 46 - 56
Main Authors 张孟文, 金玉丰
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 北京大学深圳研究生院,广东深圳518055 2021
深圳市汇顶科技股份有限公司,广东深圳518045%北京大学深圳研究生院,广东深圳518055
Subjects
高电源抑制比
低噪声放大器
输出轨到轨
恒定开环增益
甚低频
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Summary:TN432; 介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计.提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的输出偏置电压.该环路配合恒定跨导偏置电路,可使放大器的开环增益保持在40 dB左右,不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响.该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元,配合全差分电流偏置电路,输出范围可达到轨到轨.此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比.当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时,电源纹波对输出信号几乎无影响.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.200825