一种高精度的RC振荡器电路

TN752%TN432; 为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路.通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的有效补偿.细调电路提取与电压、工艺及温度都无关的比例系数作为频率调节因子;温度系数调节电路通过合理匹配使得常温下电阻不受档位变化的影响,改善温度系数的同时提高了档位调节过程中的频率稳定性.芯片实测结果显示,经过粗调、细调和温度系数调节三重校正后,振荡器典型输出频率为8 MHz,在-40～150 ℃的全温度范围内频率变化小于±0...

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Published in半导体技术 Vol. 50; no. 1; pp. 71 - 76
Main Authors 张亮, 王静, 冯玉明
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 广东齐芯半导体有限公司,广东珠海 519000 2025
Subjects
温度补偿
CMOS工艺
resistance-capacitance(RC)oscillator
高精度
high-precision
voltage coefficient adjustment
CMOS process
temperature compensation
电阻电容(RC)振荡器
电压系数修调
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ISSN1003-353X
DOI10.13290/j.cnki.bdtjs.2025.01.010

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Summary:TN752%TN432; 为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路.通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的有效补偿.细调电路提取与电压、工艺及温度都无关的比例系数作为频率调节因子;温度系数调节电路通过合理匹配使得常温下电阻不受档位变化的影响,改善温度系数的同时提高了档位调节过程中的频率稳定性.芯片实测结果显示,经过粗调、细调和温度系数调节三重校正后,振荡器典型输出频率为8 MHz,在-40～150 ℃的全温度范围内频率变化小于±0.5％,实现了对RC振荡器电路工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的补偿.
ISSN:1003-353X
DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2025.01.010