SEMICONDUCTOR DEVICE

Insulating films (21 to 24) constituted of CF films (fluorine-containing carbon films) are formed on a substrate not shown. Cu interconnection layers (25, 26) are formed on the CF films (21, 23) through an adherence layer (29) comprising a Ti layer and a TiC layer. Cu atoms in the interconnection la...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author AKAHORI, TAKASHI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 11.11.1999
Edition6
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Insulating films (21 to 24) constituted of CF films (fluorine-containing carbon films) are formed on a substrate not shown. Cu interconnection layers (25, 26) are formed on the CF films (21, 23) through an adherence layer (29) comprising a Ti layer and a TiC layer. Cu atoms in the interconnection layers do not diffuse into the insulating films (21 to 24) because the insulating films (21 to 24) are constituted of CF films. The dielectric constants of the CF films are smaller than that of a BCB film. Des films isolants (21 à 24) constitués de films de CF (films en carbone contenant du fluor) sont formés sur un substrat non représenté. Des couches d'interconnexion en Cu (25, 26) sont formées sur les films de CF (21, 23) par l'intermédiaire d'une couche d'adhérence (29) comprenant une couche en Ti et une couche en TiC. Des atomes de Cu dans les couches d'interconnexion ne diffusent pas dans les films isolants (21 à 24) parce que ces derniers sont constitués de films de CF. Les constantes diélectriques des films de CF sont inférieures à celles d'un film de BCB.
Bibliography:Application Number: WO1999JP02363