PROCESS FOR THE PREPARATION OF HIGH-PURITY Si AND EQUIPMENT THEREFOR

• Main Authors: KONDO, JIRO, NOGAMI, ATSUSHI, WATANABE, RYUJI, IYOSE, AKIHITO, TOKUMARU, SHINJI, SHIMADA, HARUO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.07.1999
• Edition: 6
• Subjects: CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; THEIR RELEVANT APPARATUS; TRANSPORTING

High-purity Si can be prepared by heating solid SiO to a temperature of 1000 DEG C or above but below 1730 DEG C to convert the solid SiO into liquid or solid Si and solid SiO2 through disproportionation, and separating the Si thus formed from the SiO2 and/or SiO. The solid SiO to be used as the starting material can be prepared by heating a mixture of one or more members selected from among carbon (C), silicon (Si) and ferrosilicon with SiO2 to generate a gas containing gaseous SiO, and cooling the gas to form solid SiO. Selon l'invention, on peut obtenir du Si extrêmement pur en portant du SiO solide à une température de 1000 DEG C ou plus élevée, mais inférieure à 1730 DEG C, pour le convertir en Si liquide ou solide et en SiO2 par disproportionation, et en séparant le Si ainsi formé du SiO2 et/ou SiO. Le SiO solide à utiliser comme matériau de départ peut être préparé par chauffage d'un mélange comprenant au moins l'un des éléments choisis parmi le carbone (C), le silicium (Si) et le ferrosilicium, et du SiO2, pour produire un gaz contenant du SiO gazeux, et par refroidissement du gaz produit, ce refroidissement entraînant la formation de SiO solide.