SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

• Main Authors: TAKAGI, TOSHIYUKI, SAKINADA, KAORU, KAWASE, MINORU, KOSHINO, MASAYOSHI, EBATA, YASUO, AKAHORI, NAOKI, CHIYOMA, HITOSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.02.1999
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A conventional surface acoustic wave device is constituted of a piezoelectric substrate, an electrode film formed on the piezoelectric substrate and divided into electrode fingers, a bus bar connecting the electrode fingers in common, and electrode pads connected to the bus bar. When such a device is used in a high-frequency band, the thickness of the electrode film is too small and the width of the electrodes is also too small, causing the problem of poor mechanical strength. The electrode film of the present invention has at least two layers, for example, a layer containing Ta and Al and a layer containing Al or an Al-based alloy and formed thereon. The ratio of Ta to Al is such that Ta accounts for 39 to 75 atomic percent to enhance the orientation of Al or its alloy and, hence, to increase the strength of the electrode film. Un dispositif classique de traitement d'ondes acoustiques de surface est constitué par un substrat piézo-électrique, une couche d'électrode créée sur le substrat piézo-électrique et divisée en doigts d'électrode, une barre omnibus reliant les doigts d'électrode en commun, et des plages d'électrode reliées à la barre omnibus. Quand on met en application ce dispositif dans un bande de haute fréquence, l'épaisseur de la couche d'électrode est trop limitée et la largeur des électrodes est également trop limitée, ce qui pose un problème de mauvaise résistance mécanique. La couche d'électrode du dispositif objet de l'invention consiste en au moins deux couches, par exemple, une couche contenant Ta et Al et une couche contenant Al ou un alliage à base d'Al et placée sur la première couche. Le rapport entre Ta et Al est tel que Ta représente 39 à 75 % atomique, ce qui permet d'améliorer l'orientation d'Al ou de son alliage et, de ce fait, d'augmenter la résistance de la couche d'électrode.