METHOD AND APPARATUS FOR PREPARING SAMPLES

A method and apparatus for separating a minute sample piece having a specified minute region from a sample substrate, e.g., a semiconductor wafer or a semiconductor device chip, by using an ion beam, and then observing, analyzing and measuring the specified minute region. The method comprises connec...

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Main Authors TOMIMATSU, SATOSHI, DOI, YASUNORI, KAWANAMI, YOSHIMI, UMEMURA, KAORU, MADOKORO, YUICHI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 04.02.1999
Edition6
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Summary:A method and apparatus for separating a minute sample piece having a specified minute region from a sample substrate, e.g., a semiconductor wafer or a semiconductor device chip, by using an ion beam, and then observing, analyzing and measuring the specified minute region. The method comprises connecting the tip of a probe (11) fixedly to the vicinity of a region to be observed of a sample substrate (2) mounted on a sample stage (3), separating a sample piece (40) having that region from the sample substrate (2), transferring the separated sample piece (40) in a state held fixedly at the tip of the probe (11) onto a sample holder (19) of an apparatus for observing, analyzing and measuring the sample piece (40), and separating the tip of the probe (11) from the sample piece (40) fixed onto the sample holder (19). An ion beam sputtering method is utilized for separating the sample piece (40) from the sample substrate (2) and for separating the tip of the probe (11) from the sample piece (40). An ion beam assist deposition film forming method is utilized for fixing the probe (11) to the sample substrate (2) and for securing the sample piece (40) to the sample holder (19). A sample mounted on the sample holder (19) specifically used for an observing, analyzing or measuring apparatus can be obtained without requiring any skill of manual operations such as polishing or dicing. L'invention concerne un procédé et un dispositif de préparation d'échantillons. Le procédé consiste à séparer un minuscule morceau d'échantillon présentant une région minuscule spécifique, à partir d'un substrat échantillon, par exemple une plaquette à semi-conducteur ou une puce d'un dispositif à semi-conducteur, et ce au moyen d'un faisceau d'ions, puis à observer, analyser et mesurer la région minuscule spécifiée. Le procédé comprend les étapes consistant à relier le bout d'une sonde (11) de manière fixe au voisinage d'une région à observer d'un substrat échantillon (2) monté sur un support (3) d'échantillon, à séparer à partir du substrat échantillon (2) un morceau d'échantillon (40) comprenant ladite région, à transférer ce morceau séparé (40) maintenu fixement par le bout de la sonde (11) sur un porte-échantillon (19) d'un dispositif servant à observer, analyser et mesurer le morceau échantillon (40), et enfin à séparer le bout de la sonde (11) du morceau échantillon (40) fixé sur le porte-échantillon (19). On utilise un processus de pulvérisation par faisceau d'ions pour séparer le morceau échantillon (40) du substrat échantillon (2) et pour séparer le bout de la sonde (11) du morceau échantillon (40). On utilise également une technique de formation de film par dépôt assisté par faisceau d'ions pour fixer la sonde (11) au substrat échantillon (2) et pour fixer le morceau échantillon (40) sur le porte-échantillon (19). On peut ainsi obtenir un échantillon monté sur le porte-échantillon (19), lequel est spécialement conçu pour un appareil d'observation, d'analyse et de mesure, sans recours à des opérations manuelles spécialisées, comme le polissage ou le découpage en dés.
Bibliography:Application Number: WO1998JP03250