PARALLEL PLATE STRUCTURE PROVIDED WITH PZT THIN-FILM BIMORPH AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

• Main Authors: IWATA, HITOSHI, FUKUDA, TOSHIO, ARAI, FUMIHITO, ITOIGAWA, KOICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.01.1999
• Edition: 6
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; RESONATORS; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A parallel plate structure (1) is provided with a pair of bimorph piezoelectric elements (2) and prismatic insulation spacers (3) inserted between the piezoelectric elements (2) at the upper and lower ends thereof for cementing the piezoelectric elements (2) together via the spacers (3). Each piezoelectric element (2) comprises a planar base material (4) of titanium, PZT thin films (5) formed on both sides of the base material (4) by the hydrothermal method, and electrode films (6) formed on the PZT thin films (5). The base material (4) is 20 mu m thick and the PZT thin films (5) are several mu m thick, while the aluminum electrode films (6) are several mu m thick. L'invention concerne une structure plan parallèle (1) pourvue de deux éléments piézoélectriques dimorphes (2) et de dispositifs d'espacement isolants prismatiques (3), insérés entre lesdits éléments piézoélectriques (2) au niveau des extrémités supérieure et inférieure de ces éléments, de manière à raccorder ces éléments (2) les uns aux autres per l'intermédiaire des dispositifs d'espacement (3). Chaque élément piézoélectrique (2) est constitué d'un matériau de base plat (4) en titane, de couches minces de PZT (5), formées sur les deux cotés de ce matériau (4) selon un procédé hydrothermal, et de couches à électrodes (6), formées sur lesdites couches minces de PZT (5). Le matériau de base (4) présente une épaisseur de 20 mu m, l'épaisseur des couches minces de PZT (5) et des couches à électrodes d'aluminium (6) atteignant plusieurs mu m.