PLASMA ETCHING USING POLYCARBONATE ETCH MASK

• Main Authors: BRIGHAM, KRISTIN, PONG, CHUNGDEE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.09.1998
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method is provided for etching an etch layer using a polycarbonate layer as a mask. The method includes placing an etch structure (80) in a reaction chamber (111), the etch structure including an etch layer (86) underlying a polycarbonate layer (88), the polycarbonate layer having apertures (90). The etch layer is then eteched using a low pressure-high density plasma generated at a pressure in the range of approximately 1 to 30 millitorr where the ionized particle concentration is at least 10 ions/cm and where the ionized particle concentration is substantially equal throughout the volume of the reaction chamber. To increase the etch rate, the etch structure can be heated or biased. To decrease the etch rate, an inert gas can be added to the process gas mixture used to form the plasma. L'invention concerne un procédé d'attaque d'une couche à attaquer, au moyen d'une couche de polycarbonate faisant office de masque. Ledit procédé consiste à placer une structure à attaquer (80) dans une chambre à réaction (111), ladite structure comprenant une couche à attaquer (86) placée au-dessous d'une couche de polycarbonate (88), laquelle présente des ouvertures (90). La couche à attaquer est ensuite attaquée au moyen d'un plasma haute densité et basse pression généré à une pression de l'ordre d'environ 1 à 30 millitorr, la concentration de particules ionisées étant d'au moins 10 ions/cm et la concentration de particules ionisées étant sensiblement égale dans le volume de la chambre à réaction. Afin d'augmenter la vitesse d'attaque, la structure à attaquer peut être chauffée ou polarisée. Afin de réduire la vitesse d'attaque, un gaz inerte peut être ajouté au mélange gazeux utilisé pour la formation du plasma.