METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM THEREFOR

• Main Authors: NOGUCHI, MINORI, KENBO, YUKIO, TANABE, YOSHIKAZU, HIROSE, TAKENORI, MITANI, SHINICHIRO, NINOMIYA, TAKANORI, SERIZAWA, MASAYOSHI, KIMURA, TAKESHI, TAKAHARA, YOICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.08.1998
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

A method for manufacturing a semiconductor device by chemically and mechanically polishing an objective material formed on a semiconductor substrate to planarize it, in order to manufacture a semiconductor device (semiconductor element) with high throughput and high yield while realizing highly precise chemical and mechanical polishing. In this manufacturing method, the thickness of a residual film of the polishing object is measured when chemical and mechanical polishing is carried out on the polishing object, and the chemical and mechanical polishing is switched from high-speed polishing to low-speed polishing in accordance with the measured thickness of the residual film of the polishing object. The manufacturing method includes a polishing step of chemically and mechanically polishing an objective material formed on a substrate so as to planarize the polishing object, and an inspection step of inspecting the generation state of flaws and dust particles apart from surface roughening generated on a polished surface planarized by the polishing step, so that the generation state of flaws and dust particles on the polished surface inspected by the inspection step is fed back to the polishing step so as to control polishing conditions, thereby reducing flaws and dust particles generated on the polished surface. L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur par polissage chimique et mécanique d'un matériau cible formé sur un substrat à semi-conducteur afin de l'aplanir, de manière à produire un dispositif à semi-conducteur (élément à semi-conducteur) avec une capacité et un rendement élevés tout en réalisant un polissage chimique et mécanique très précis. Dans ce procédé de production, on mesure l'épaisseur d'une couche mince résiduelle de l'objet de polissage lorsqu'un polissage chimique et mécanique est effectué sur l'objet du polissage, et on fait passer l'opération de polissage chimique et mécanique d'un polissage rapide à un polissage lent selon l'épaisseur mesurée de la couche mince résiduelle de l'objet de polissage. Le procédé de production comprend une étape de polissage consistant en un polissage chimique et mécanique d'un matériau cible formé sur un substrat afin d'aplanir l'objet du polissage, et une étape d'inspection consistant en l'inspection de l'état général regroupant les défauts et les particules de poussière, séparément du dégrossissage de surface, générés sur une surface polie aplanie à l'étape de polissage, de sorte que l'état de production de défauts et de particules de poussière sur la surface polie et inspectée à l'étape d'inspection soit rapporté à l'étape de polissage afin de gérer les états de polissage, réduisant ainsi les défauts et les particules de poussière générés sur la surface polie.