FILM DEPOSITION APPARATUS OR ARTIFICIAL LATTICE MULTI-LAYERED FILM
A film deposition apparatus of an artificial lattice multi-layered film for depositing a gigantic magnetoresistive film (GMR film) having an artificial lattice structure formed by alternately laminating magnetic metal films and non-magnetic metal films on a substrate, and for making it possible to d...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
20.08.1998
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Edition | 6 |
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Summary: | A film deposition apparatus of an artificial lattice multi-layered film for depositing a gigantic magnetoresistive film (GMR film) having an artificial lattice structure formed by alternately laminating magnetic metal films and non-magnetic metal films on a substrate, and for making it possible to deposit stably and easily an artificial lattice multi-layered film having GMR characteristics, characterized by a target (23) equipped on the lower surface thereof with a magnetron magnet (25), a cylindrical chimney (26) covering at least the target (23) and having an open surface facing the target (23), and a chimney top (29) sealing the opening of the chimney (26) and having a chimney opening portion (30) on the surface thereof opposing the target (23), wherein plasma rings (34a, 34b) are generated from the upper surface of the target (23) when the substrate (33) passes over the upper surface of the chimney top (29), and deposits the sputtered molecules onto the substrate (33).
L'invention porte sur un appareil à dépôt de film destiné au dépôt d'un film multicouche à grille artificielle et permettant de déposer un film à résistance magnétique gigantesque dont la structure de grille artificielle est obtenue par un laminage alterné sur un substrat de films métalliques magnétiques et de films métalliques non magnétiques, et de déposer éventuellement, de manière stable et facilement, un film multicouche à grille artificielle présentant les caractéristiques du film à résistance magnétique. Cet appareil comporte une cible (23) dont la surface inférieure est équipée d'un aimant de magnétron (25), une cheminée cylindrique (26) recouvrant au moins la cible (23) et comportant une surface ouverte opposée à la cible (23), et une partie supérieure (29) de cheminée fermant hermétiquement l'ouverture de la cheminée (26) et comportant sur sa surface opposée à la cible (23) un passage (30). Des anneaux de plasma sont générés depuis la surface supérieure de la cible (23) lorsque le substrat (33) passe au-dessus de la surface supérieure de la partie supérieure (29) de la cheminée et dépose les molécules vaporisées sur le substrat (33). |
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Bibliography: | Application Number: WO1998JP00595 |