METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SILICON EPITAXIAL WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAGASHIMA, TOORU, NINOMIYA, MASAHARU, SADAMITSU, SHINSUKE, KII, TAKESHI, KOIKE, YASUO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.06.1998
• Edition: 6
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A method for manufacturing semiconductor silicon epitaxial wafer and semiconductor device by which a gettering ability can be given to an epitaxial wafer in which the formation of BMD is not able to be expected in both low- and high-temperature device manufacturing processes, with the manufacturing processes being lower and higher than 1,050 DEG C in temperature, and has a specific resistance of >/= 10 m OMEGA .cm. When this method is used, such BMD that is sufficient to obtain gettering can be formed in both the low- and high-temperature processes, with the manufacturing processes being lower and higher than 1,050 DEG C in temperature, even in the epitaxial wafer having a specific resistance of >/= 10 m OMEGA .cm by performing low-temperature heat treatment at 650-900 DEG C before starting epitaxial film formation, by selecting the heat-treating time in accordance with the process temperature in the device manufacturing processes and heavy-metal contaminants which are mixed in during the device manufacturing processes can be gettered sufficiently. Therefore, the characteristic deterioration of a device can be prevented and the yield of the device can be improved. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiée semi-conductrice de silicium et d'un dispositif semi-conducteur conférant un pouvoir de dégazage à une tranche épitaxiée, la formation d'un microdéfaut volumique ne pouvant avoir lieu au cours de tels procédés de fabrication de dispositif à haute et basse température. Ces procédés de fabrication se déroulent à des températures inférieures et supérieures à 1050 DEG C, des tranches présentant une résistance spécifique supérieure ou égale à 10 m OMEGA .cm. Lorsqu'un tel procédé est utilisé, le microdéfaut volumique suffisant pour produire un dégazage peut se former pendant des procédés qui se déroulent à haute et basse température, ces procédés de fabrication se déroulant à des températures inférieures et supérieures à 1050 DEG C, même lorsque la tranche épitaxiée présente une résistance spécifique supérieure ou égale à 10 m OMEGA .cm, du fait du traitement thermique à basse température (entre 650 et 900 DEG C) effectué avant d'entamer la formation du film épitaxié, la durée de traitement thermique étant choisie conformément à la température de traitement des procédés de fabrication du dispositif. Les impuretés de métal lourd qui sont mélangées au cours de ces procédés de fabrication de dispositif peuvent être dégazées suffisamment. La détérioration propre à un tel dispositif peut donc être prévenue et le rendement du dispositif amélioré.