IMPROVED METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON HYDROGENATION

• Main Author: SHUFFLEBOTHAM, PAUL, K
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.12.1997
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of hydrogenating poly-Si in an electrical device including the step of placing a substrate having a poly-Si component in a radio frequency induced low pressure, high density plasma reactor. The method further includes the step of introducing into the radio frequency induced low pressure high density plasma reactor, a gas including at least hydrogen or deuterium. The hydrogenation of the poly-Si component is accomplished by striking a plasma in the radio frequency induced low pressure, high density plasma reactor under conditions that promote hydrogenation of the poly-Si component. Cette invention concerne un procédé d'hydrogénation d'un silicium polycristallin dans un dispositif électrique. Le procédé consiste à placer un substrate contenant du silicium polycristallin dans un réacteur à plasma à basse pression et haute densité induit par fréquence radioélectrique. Le procédé consiste en outre à introduire dans ledit réacteur à plasma un gaz comprenant au minimum hydrogène ou deutérium. On réalise l'hydrogénation du composant de silicium polycristallin en déchargeant un plasma dans le réacteur à plasma à basse pression et hyperdensité induit par fréquence radioélectrique, dans des conditions favorisant l'hydrogénation du silicium polycristallin.