LOW-EMI DEVICE CIRCUIT AND ITS STRUCTURE

• Main Authors: ARAI, TOSHIYUKI, HORIKOSHI, KAZUHIKO, AKIBA, YUTAKA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.09.1996
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A low-EMI device in which components are mounted at a high density and unnecessary radiation is effectively suppressed by converting the potential fluctuation at the power supply pad with respect to ghe ground pad which occurs on switching an LSI element, etc., into Joule's heat without using any parts used as the measure against EMI. An element is formed on the surface of the LSI device by using a thin film processing. To a first by-pass capacitor (C1) connected to the power supply and ground pads, parallely connected is a circuit in which a second by-pass capacitor (C2) and a resistor (R) are connected in series. Consequently the impedance of the capacitor (C2) is sufficiently smaller than that of the resistor (R). The dc component of the Q-factor of the by-pass capacitor circuit is cut when viewed from between the power supply and ground pads, and the Q-factor with respect to the ac (high-frequency) component is low (below 10), so that the potential fluctuation between the pads is absorbed. Thus the electromagnetic radiation from the LSI device itself and wires connected to the LSI device is remarkably suppressed. Dispositif à faible brouillage électromagnétique à forte densité de composants, dans lequel les rayonnements inutiles sont éliminés de façon efficace par la conversion en chaleur, par effet Joule, de la fluctuation de potentiel au niveau du plot d'alimentation électrique par rapport au plot de mise à la terre, qui se produit lorsqu'on déclenche un élément LSI, etc., sans qu'il soit nécessaire d'employer aucun dispositif de protection contre le brouillage. On forme un élément à la surface du dispositif LSI, au moyen d'un procédé de couche mince. On connecte en parallèle à un premier condensateur de découplage (C1), lui-même relié aux plots d'alimentation électrique et de mise à la terre, un circuit dans lequel un deuxième condensateur de découplage (C2) et une résistance (R) sont montés en série. On rend ainsi l'impédance du condensateur (C2) suffisamment inférieure à celle de la résistance (R). La composante de courant continu du facteur de qualité du circuit du condensateur de découplage entre le plot d'alimentation électrique et le plot de mise à la terre est diminuée, et le facteur de qualité relatif à la composante de courant alternatif (haute fréquence) est faible (inférieur à 10), si bien que la fluctuation de potentiel entre les plots est absorbée. Ainsi, le rayonnement électromagnétique provenant du dispositif LSI lui-même et des fils connectés à celui-ci est éliminé dans des proportions notables.