FILM UNIFORMITY BY SELECTIVE PRESSURE GRADIENT CONTROL

• Main Authors: RODE, EDWARD, J, KANG, SIEN, G, UHER, FRANK, O, CHOW, RAYMOND, L, SCHMITZ, JOHANNES, J
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 31.03.1994
• Edition: 5
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A system (65) for depositing a film on a substrate in a CVD process has a second-source injection sub-system (83) for injecting a control gas. The deposition rate of the material deposited in the CVD process is a function of the concentration of the control gas at the point that material is deposited. The second source injection sub-system (83) provides a concentration gradient of the control gas relative to the substrate surface coated, and alters the thickness uniformity of the film. By controlling the gradient one may control the thickness uniformity profile. In another embodiment, the invention applies to dry etching with reactive gas, and the etching rate is controlled by second source provision of a control gas. Un système (65) permet de déposer un film sur un substrat dans un procédé CVD. Le système possède un sous-système (83) d'injection d'une seconde source pour injecter un gaz de régulation. La vitesse de dépôt de la matière déposée au cours du procédé CVD est une fonction de la concentration du gaz de régulation au point où le matériau est déposé. Le sous-système (83) d'injection d'une seconde source fournit un gradient de concentration du gaz de régulation par rapport à la surface du substrat revêtu et modifie l'uniformité d'épaisseur du film. En régulant le gradient, il est possible de réguler le profil d'uniformité d'épaisseur. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne l'attaque à sec en utilisant un gaz réactif, et la vitesse d'attaque est régulée par une seconde source d'un gaz de régulation.