SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OGUCHI, YASUHIRO, TSUJI, MASUO, HIRABAYASHI, YASUHISA, TORII, KENSUKE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 18.03.1993
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device wherein four gate electrodes (12a-12d) of an N-type basic cell (10) in a gate array are provided substantially in the directions of the tangent lines at points on the circumference of a circle whose center coincides with the cell center (Q) of the cell (10) and whose radius is (r), and the positional relations of the gate electrodes are vertically and bilaterally symmetric with respect to the vertical and bilateral center lines of the cell respectively. Therefore, the adjacent gate electrodes are symmetric with respect to the rotations of +/-90 DEG . Every gate electrode has parts (P1, P2) for leading out wirings. When the cell (10) is rotated by +/-90 DEG , the parts (P1, P2) are superimposed on the ones before the rotation. Since the gate electrodes are provided substantially in the circumferencial directions, a source region (S) (or a drain region (D)) is isolated from the drain region (D) (or the source region (S)) in the radial direction of the cell. Thereby, the parts (P1, P2) are not concentrated on the central part of the cell, and the design of the wirings in the cell is improved. Also, since both the ends of the gate electrode are uniform with respect to the cell center, the parts (P1, P2) can be provided not on one end of the gate electrodes but on both the ends, and the capability of wiring the gate electrodes is improved. Further, a P-type basic cell (20) has a structure similar to the N-type one (10) too. L'invention se rapporte à un dispositif à semiconducteur, où quatre électrodes de grille (12a-12d) d'une cellule de base type N (10) dans une matrice de portes sont disposées essentiellement dans les directions des tangentes en des points situés sur la circonférence d'un cercle dont le centre coïncide avec le centre (Q) de la cellule (10) et dont le rayon est égal à (r), et où les relations de position des électrodes de grille sont verticalement et bilatéralement symétriques par rapport à l'axe vertical et à l'axe bilatéral de la cellule, respectivement. Par conséquent, les électrodes de grille adjacentes sont symétriques par rapport aux rotations de U90°. Chaque électrode de grille comporte des parties (P1, P2) pour la conduction des fils de connexion vers l'extérieur. Lorsqu'on amène la cellule (10) à effectuer une rotation de U90°, les parties (P1, P2) se superposent avant la rotation. Dès lors que les électrodes de grille sont disposées essentiellement dans les directions circonférentielles, une région source (S) (ou une région drain (D)) est isolée de la région drain (D) (ou de la région source (S)) dans le sens radial de la cellule. Ainsi, les parties (P1, P2) ne sont pas concentrées sur la partie centrale de la cellule, et la conception des fils de connexion dans la cellule est améliorée. De plus, dès lors que les deux extrémités de l'électrode de grille sont uniformes par rapport au centre de la cellule, les parties (P1, P2) peuvent être disposées non pas sur une seule extrémité des électrodes de grille mais sur les deux, et la capacité des électrodes de grille à recevoir des connexions est accrue. En outre, une cellule de base type P (20) possède une structure similaire à une cellule de base type N (10).