MAGNETIC EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: ZHANG, ZU, HUA, ZHAO, YUAN-JUN, CHU, WEI-KAN
• Format: Patent
• Language: English
• Published: 29.11.1990
• Subjects: ELECTRICITY

By applying a magnetic field perpendicular to a thin film high temperature superconductor (HTS) material (104) the HTS material may enter a mixed state, where the resistance can be controlled by varying the magnetic field. This variance of resistance may be utilized to develop a transistor-like device which can be combined to form logic gates. Using thin film techniques a scaled device can be constructed which allows use of the device in integrated circuits. A thin film magnet core is constructed in this integrated form to concentrate the magnetic field applied to the HTS material, thus reducing drive current requirements. Devices can be combined to form various logic gates and memory cells. A core memory using thin film magnet cores and HTS material is also described. Le fait d'appliquer un champ magnétique perpendiculaire à une matière (104) supraconductrice à température élevée (STE), se présentant sous la forme d'un film mince, permet de faire passer ladite matière STE à l'état mélangé, dans lequel la résistance peut être commandée par variation du champ magnétique. On peut utiliser cette variance de résistance afin de produire un dispositif analogue à un transistor, lequel peut être combiné afin de former des portes logiques. Grâce à des techniques à films minces, on peut construire un dispositif à l'échelle, ce qui permet d'utiliser ledit dispositif dans des circuits intégrés. On fabrique un noyau d'aimant à film mince sous cette forme intégrée, afin de concentrer le champ magnétique appliqué à la matière STE, réduisant ainsi les besoins en courant d'excitation. On peut combiner les dispositifs afin de former diverses portes logiques et diverses cellules de mémoire. L'invention concerne également une mémoire centrale utilisant des noyaux d'aimant à couches minces ainsi qu'une matière STE.