HOLDING DEVICE

• Main Authors: OHARA Honami, SANARI Takumi, UEMATSU Daisuke, KIMIKADO Yasuaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.10.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A holding device 100 according to the present invention comprises: a holding substrate 10 which includes a plate-like member 11 having a first surface S1 and a second surface S2 disposed on the opposite side from the first surface S1, a first gas flow passage 12 having a first gas outflow port 12b opening on the first surface S1 side and a first gas inflow port 12a opening on the second surface S2 side, the first gas flow passage 12 being formed inside the plate-like member 11, and a gas permeable first porous body 70 filling the first gas flow passage 12 and comprising ceramics as a main component; and a base 20 which includes a plate-like base member 21 having a third surface S3 opposing the second surface S2 and a fourth surface S4 disposed on the opposite side from the third surface S3, the plate-like base member 21 being disposed on the second surface S2 side of the plate-like member 11, a second gas flow passage 22 having a second gas outflow port 22b opening on the third surface S3 side and opposing the first gas inflow port 12a, the second gas flow passage 22 being formed inside the plate-like base member 21, and a gas permeable second porous body 80 filling the second gas flow passage 22 and comprising ceramics as a main component. The first gas flow passage 12 has a first vertical flow passage part 120 which extends from the first gas inflow port 12a to the first surface S1 side and is filled with the first porous body 70. The second gas flow passage 22 has a second vertical flow passage part 220 which extends from the second gas outflow port 22b to the fourth surface S4 side and is filled with the second porous body 80 in a form overlapping the first porous body 70 in a plan view. The plasma resistance of the first porous body 70 is higher than the plasma resistance of the second porous body 80. Un dispositif de maintien 100 selon la présente invention comprend : un substrat de maintien 10 qui comprend un élément de type plaque 11 présentant une première surface S1 et une deuxième surface S2 disposée sur le côté opposé à la première surface S1, un premier passage d'écoulement de gaz 12 présentant un premier orifice d'écoulement sortant de gaz 12b s'ouvrant sur le côté première surface S1 et un premier orifice d'écoulement entrant de gaz 12a s'ouvrant sur le côté deuxième de surface S2, le premier passage d'écoulement de gaz 12 étant formé à l'intérieur de l'élément de type plaque 11, et un premier corps poreux perméable aux gaz 70 remplissant le premier passage d'écoulement de gaz 12 et comprenant de la céramique en tant que composant principal ; et une base 20 qui comprend un élément de base en forme de plaque 21 ayant une troisième surface S3 opposée à la deuxième surface S2 et une quatrième surface S4 disposée sur le côté opposé à la troisième surface S3, l'élément de base en forme de plaque 21 étant disposé sur le côté deuxième surface S2 de l'élément en forme de plaque 11, un deuxième passage d'écoulement de gaz 22 présentant un deuxième orifice d'écoulemant sortant de gaz 22b s'ouvrant sur le côté troisième surface S3 et opposé au premier orifice d'écoulement entrant de gaz 12a, le deuxième passage d'écoulement de gaz 22 étant formé à l'intérieur de l'élément de base en forme de plaque 21, et un deuxième corps poreux perméable aux gaz 80 remplissant le deuxième passage d'écoulement de gaz 22 et comprenant de la céramique en tant que composant principal. Le premier passage d'écoulement de gaz 12 présente une première partie de passage d'écoulement vertical 120 qui s'étend à partir du premier orifice d'écoulement entrant de gaz 12a vers le côté première surface S1 et est remplie avec le premier corps poreux 70. Le deuxième passage d'écoulement de gaz 22 présente une deuxième partie de passage d'écoulement vertical 220 qui s'étend à partir du deuxième orifice d'écoulement sortant de gaz 22b vers le côté quatrième surface S4 et est remplie avec le deuxième corps poreux 80 sous une forme chevauchant le premier corps poreux 70 dans une vue en plan. La résistance au plasma du premier corps poreux 70 est supérieure à la résistance au plasma du deuxième corps poreux 80. 【解決手段】本発明の保持装置１００は、第１表面Ｓ１及び第１表面Ｓ１の反対側に配される第２表面Ｓ２を含む板状部材１１と、第１表面Ｓ１側に開口した第１ガス流出口１２ｂ及び第２表面Ｓ２側に開口した第１ガス流入口１２ａを含み、板状部材１１の内部に形成される第１ガス流路１２と、第１ガス流路１２に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の第１多孔質体７０とを有する保持基板１０と、第２表面Ｓ２と対向する第３表面Ｓ３及び第３表面Ｓ３の反対側に配される第４表面Ｓ４を含み、板状部材１１の第２表面Ｓ２側に配される板状ベース部材２１と、第３表面Ｓ３側に開口しつつ第１ガス流入口１２ａと対向する第２ガス流出口２２ｂを含み、板状ベース部材２１の内部に形成される第２ガス流路２２と、第２ガス流路２２に充填され、セラミックスを主成分とするガス透過性の第２多孔質体８０とを有する基台２０とを備える。第１ガス流路１２は、第１ガス流入口１２ａから第１表面Ｓ１側に延びつつ、第１多孔質体７０が充填される第１縦流路部１２０を有し、第２ガス流路２２は、第２ガス流出口２２ｂから第４表面Ｓ４側に延びつつ、平面視で第１多孔質体７０と重なる形で第２多孔質体８０が充填される第２縦流路部２２０を有し、第１多孔質体７０の耐プラズマ性が、第２多孔質体８０の耐プラズマ性よりも高い。