SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM

• Main Authors: TAKEBAYASHI, Yuji, MIYANISHI, Yuya, MORI, Takefumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.10.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention comprises: a storage unit that stores a processing gas supplied from a supply unit; a processing chamber for processing a substrate; a plurality of gas flow paths that connect the storage unit and the processing chamber in parallel; gas control mechanisms that are respectively provided in the plurality of gas flow paths and comprise a plurality of valves disposed in each of the plurality of gas flow paths; and a control unit that is configured to be able to control the gas control mechanisms so that the following processes are carried out: (a1) a process for storing the processing gas in the storage unit; (a2) a process for starting the supply of the processing gas in the storage unit into the processing chamber; (a3) a process for stopping the supply of the processing gas in the storage unit into the processing chamber, and (b) a process for changing the conductance of the gas in the gas flow paths by controlling the opening degree of the valves between the process (a2) and the process (a3). La présente invention comprend : une unité de stockage qui stocke un gaz de traitement fourni par une unité d'alimentation ; une chambre de traitement pour traiter un substrat ; une pluralité de trajets d'écoulement de gaz qui relient l'unité de stockage à la chambre de traitement en parallèle ; des mécanismes de commande de gaz qui sont respectivement placés dans la pluralité de trajets d'écoulement de gaz et comprennent une pluralité de soupapes placées dans chacun des trajets de la pluralité de trajets d'écoulement de gaz ; et une unité de commande qui est conçue pour pouvoir commander les mécanismes de commande de gaz de façon à exécuter les processus suivants : (a1) un processus de stockage du gaz de traitement dans l'unité de stockage ; (a2) un processus de démarrage de l'alimentation en gaz de traitement entre l'unité de stockage et la chambre de traitement ; (a3) un processus d'arrêt de l'alimentation en gaz de traitement entre l'unité de stockage et la chambre de traitement, et (b) un processus de changement de la conductance du gaz dans les trajets d'écoulement de gaz par commande du degré d'ouverture des soupapes entre le processus (a2) et le processus (a3). 供給部から供給された処理ガスを貯留する貯留部と、基板を処理する処理室と、前記貯留部と前記処理室とを並列に接続する複数のガス流路と、複数の前記ガス流路に設けられ、複数の前記ガス流路のそれぞれに配置される複数の弁を備えるガス制御機構と、（ａ１）前記処理ガスを前記貯留部に貯留する処理と、（ａ２）前記処理室内への前記貯留部内の前記処理ガスの供給を開始する処理と、（ａ３）前記処理室内への前記貯留部内の前記処理ガスの供給を停止する処理と、（ｂ）前記（ａ２）の処理と前記（ａ３）の処理との間に、前記弁の開度を制御して前記ガス流路におけるガスのコンダクタンスを変化させる処理と、が行われるように前記ガス制御機構を制御可能に構成される制御部と、を有する。