SURFACE-EMITTING LASER AND SURFACE-EMITTING LASER ARRAY

• Main Authors: NAKAJIMA, Hiroshi, SHIOMI, Michinori, YOKOZEKI, Mikihiro, TANAKA, Masayuki, WATANABE, Tomomasa
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.09.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

A surface-emitting laser according to one embodiment of the present disclosure comprises: a first DBR layer; a second DBR layer; an active layer; a first spacer layer; a second spacer layer; and a tunnel junction layer. The active layer is disposed between the first DBR layer and the second BDR layer. The first spacer layer is disposed between the active layer and the first DBR layer. The second spacer layer is disposed between the active layer and the second DBR layer. The tunnel junction layer is disposed between the active layer and the second DBR layer, and is surrounded by the second spacer layer. A gap exists between a part of a side surface of the tunnel junction layer and the second spacer layer. Un laser à émission par la surface selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une première couche à réflecteur Bragg réparti (DBR) ; une seconde couche à réflecteur Bragg réparti (DBR) ; une couche active ; une première couche d'espacement ; une seconde couche d'espacement ; et une couche de jonction tunnel. La couche active est disposée entre la première couche DBR et la seconde couche DBR. La première couche d'espacement est disposée entre la couche active et la première couche DBR. La seconde couche d'espacement est disposée entre la couche active et la seconde couche DBR. La couche de jonction tunnel est disposée entre la couche active et la seconde couche DBR, et est entourée par la seconde couche d'espacement. Un espace existe entre une partie d'une surface latérale de la couche de jonction à effet tunnel et la seconde couche d'espacement. 本開示の一実施形態に係る面発光レーザは、第１ＤＢＲ層、第２ＤＢＲ層、活性層、第１スペーサ層、第２スペーサ層およびトンネル接合層を備えている。活性層は、第１ＤＢＲ層と第２ＢＤＲ層との間に配置されている。第１スペーサ層は、活性層と第１ＤＢＲ層との間に配置されている。第２スペーサ層は、活性層と第２ＤＢＲ層との間に配置されている。トンネル接合層は、活性層と第２ＤＢＲ層との間に配置されており、第２スペーサ層によって囲まれている。トンネル接合層の側面の一部と第２スペーサ層との間に空隙が存在している。