SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: KAGEYAMA Satoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.09.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device comprises a wiring layer, a first semiconductor element, and a first sealing resin. The wiring layer includes first wiring and second wiring. The first semiconductor element has a first electrode and a second electrode which are positioned on opposite sides from each other in a first direction. The first electrode is conductively joined to the first wiring. The first sealing resin covers the first semiconductor element. The first sealing resin has a first surface and a second surface which face opposite sides from each other in the first direction. The first surface is positioned closer to the first electrode than the second electrode. The second wiring is exposed from the first surface and the second surface. In a view along the first direction, the second wiring is separate from the first semiconductor element. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une couche de câblage, un premier élément semi-conducteur et une première résine d'étanchéité. La couche de câblage comprend un premier câblage et un second câblage. Le premier élément semi-conducteur a une première électrode et une seconde électrode qui sont positionnées sur des côtés opposés l'un de l'autre dans une première direction. La première électrode est reliée de manière conductrice au premier câblage. La première résine d'étanchéité recouvre le premier élément semi-conducteur. La première résine d'étanchéité a une première surface et une seconde surface qui font face à des côtés opposés l'un à l'autre dans la première direction. La première surface est positionnée plus près de la première électrode que la seconde électrode. Le second câblage est exposé à partir de la première surface et de la seconde surface. Dans une vue le long de la première direction, le second câblage est séparé du premier élément semi-conducteur. 半導体装置は、配線層、第１半導体素子、および第１封止樹脂を備える。前記配線層は、第１配線および第２配線を含む。前記第１半導体素子は、第１方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有する。前記第１電極は、前記第１配線に導電接合されている。前記第１封止樹脂は、前記第１半導体素子を覆う。前記第１封止樹脂は、前記第１方向において互いに反対側を向く第１面および第２面を有する。前記第１面は、前記第２電極よりも前記第１電極の近くに位置している。前記第２配線は、前記第１面および前記第２面の各々から露出している。前記第１方向に視て、前記第２配線は、前記第１半導体素子から離れている。