RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD
Provided are a radiation-sensitive composition which can be formed into a resist film capable of providing satisfactory levels of sensitivity and CDU performance when a next-generation technology is applied, and a pattern formation method. The radiation-sensitive composition comprises: a radiation-s...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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12.09.2024
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Summary: | Provided are a radiation-sensitive composition which can be formed into a resist film capable of providing satisfactory levels of sensitivity and CDU performance when a next-generation technology is applied, and a pattern formation method. The radiation-sensitive composition comprises: a radiation-sensitive acid-generating polymer containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group represented by formula (1), and a structural unit (II) having an organic acid anion (b1) and an onium cation (b2); and a solvent. The radiation-sensitive acid-generating polymer has an iodine-substituted aromatic ring structure. (In formula (1), R1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. R2 is a single bond or a divalent organic group. R3, R4, and R5 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 monovalent hydrocarbon group, or a monovalent organic group represented by -OR7 (R7 is a C1 to C12 monovalent hydrocarbon group). R6 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a nitro group, or an amino group. When there are a plurality of R6, the R6 may be the same or different. Cy represents a 3- to 20-membered alicyclic structure formed together with carbon atoms bonded thereto. r is an integer of 0 to 10. r is equal to or less than (one less than the number of ring members in the alicyclic structure).
L'invention concerne : une composition de résine sensible au rayonnement qui peut être formée en un film de réserve ayant des niveaux satisfaisants de sensibilité et de performance de CDU lorsqu'une technologie de nouvelle génération est appliquée ; et un procédé de formation de motif. La composition sensible au rayonnement comprend : un polymère générateur d'acide et sensible au rayonnement contenant un motif constitutif (I) ayant un groupe dissociable par un acide représenté par la formule (1), et un motif constitutif (II) ayant un anion d'acide organique (b1) et un cation onium (b2) ; et un solvant. Le polymère générateur d'acide et sensible au rayonnement présente une structure cyclique aromatique substituée par de l'iode. Dans la formule (1), R1 représente un atome d'hydrogène, un atome de fluor, un groupe méthyle ou un groupe trifluorométhyle. R2 représente une liaison simple ou un groupe organique divalent. R3, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe hydrocarboné monovalent en C1 à C20 substitué ou non substitué, ou un groupe organique monovalent représenté par -OR7 (R7 représente un groupe hydrocarboné monovalent en C1 à C12). R6 représente un atome d'halogène, un groupe hydroxy, un groupe alkyle, un groupe alcoxy, un groupe cyano, un groupe nitro ou un groupe amino. Lorsqu'il y a une pluralité de R6, les R6 peuvent être identiques ou différents. Cy représente une structure alicyclique de 3 à 20 chaînons formée conjointement avec des atomes de carbone qui lui sont liés. r est un nombre entier compris entre 0 et 10. r est inférieur ou égal à (un nombre qui correspond au nombre d'éléments cycliques dans la structure alicyclique moins 1).
次世代技術を適用した場合に感度やCDUを十分なレベルで発揮し得るレジスト膜を形成可能な感放射線性組成物及びパターン形成方法を提供する。 下記式(1)で表される酸解離性基を有する構造単位(I)、並びに有機酸アニオン(b1)及びオニウムカチオン(b2)を有する構造単位(II)を含む感放射線性酸発生重合体と、溶剤とを含有し、上記感放射線性酸発生重合体がヨウ素置換芳香環構造を有する、感放射線性組成物。(上記式(1)において、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。R2は、単結合、又は2価の有機基である。R3、R4、R5は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数1~20の1価の炭化水素基、又は-OR7で表される1価の有機基(但し、R7は炭素数1~12の1価の炭化水素基である)である。R6は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基又はアミノ基である。R6が複数存在する場合、複数のR6は互いに同一又は異なる。Cyは、これが結合する炭素原子とともに形成される環員数3~20の脂環構造を表す。rは0~10の整数である。ただし、rは、(上記脂環構造の環員数-1)以下である。) |
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Bibliography: | Application Number: WO2024JP01314 |