CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD

• Main Author: KAMEI, Yasutaka
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.09.2024
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; PERFORMING OPERATIONS; POLISHES; POLISHING; POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SEMICONDUCTOR DEVICES; SKI WAXES; TRANSPORTING

The present invention provides a chemical-mechanical polishing composition with which it is possible to increase the polishing rate of a tungsten film and reduce the occurrence of corrosion and defects on the tungsten surface, and also provides a polishing method.　This chemical-mechanical polishing composition contains: (A) abrasive grains; (B1) a heterocyclic compound that does not include a halogen atom; (B2) a heterocyclic compound that includes at least one halogen atom; and (C) a liquid medium. The (A) component content is 1-20 parts by mass, inclusive, relative to 100 parts by mass of the chemical-mechanical polishing composition. L'invention fournit une composition pour polissage chimico-mécanique qui présente un taux de polissage élevé pour un film de tungstène, et qui permet de réduire l'apparition d'une corrosion et de défauts sur une surface en tungstène. L'invention fournit également un procédé de polissage.　La composition pour polissage chimico-mécanique de l'invention comprend (A) des grains abrasifs, (B1) un composé hétérocyclique dépourvu d'atomes d'halogène, (B2) un composé hétérocyclique contenant au moins un atome d'halogène, et (C) un milieu liquide. La teneur en composant (A) est supérieure ou égale à 1 partie en masse et inférieure ou égale à 20 parties en masse pour 100 parties en masse de la composition pour polissage chimico-mécanique. タングステン膜の研磨速度が大きく、かつ、タングステン表面の腐食や欠陥の発生を低減することができる化学機械研磨用組成物、及び研磨方法を提供する。　本発明に係る化学機械研磨用組成物は、（Ａ）砥粒と、（Ｂ１）ハロゲン原子を含まない複素環化合物と、（Ｂ２）少なくとも１つのハロゲン原子を含む複素環化合物と、（Ｃ）液状媒体と、を含有し、前記（Ａ）成分の含有量が、化学機械研磨用組成物の１００質量部に対して、１質量部以上２０質量部以下である。