SUBSTRATE FOR SiC SEMICONDUCTOR DEVICES, SiC BONDED SUBSTRATE, SiC POLYCRYSTAL SUBSTRATE, AND SiC POLYCRYSTAL SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: TAHARA, Daisuke, AOKI, Katsutoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.09.2024
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided are: a substrate that is for SiC semiconductor devices, has a structure in which an SiC polycrystal substrate and an SiC monocrystal substrate are bonded, and can suppress the warp amount of the substrate to not more than 1.0 mm after having undergone a reverse surface grinding process; an SiC bonded substrate; an SiC polycrystal substrate; and an SiC polycrystal substrate manufacturing method.　This substrate for SiC semiconductor devices sequentially has laminated therein a support substrate made of SiC polycrystals, an SiC monocrystal substrate bonded to the surface of the support substrate, an SiC monocrystal epitaxial layer formed on the surface of the SiC monocrystal substrate, and a constituent of a semiconductor element formed on the SiC monocrystal epitaxial layer. The surface of the support substrate not bonded to the SiC monocrystal substrate is a ground surface, and the warp amount of the ground surface is not more than 1.0 mm. L'invention concerne : un substrat qui est destiné à des dispositifs semi-conducteurs en SiC, a une structure dans laquelle un substrat polycristallin en SiC et un substrat monocristallin en SiC sont liés, et peut supprimer la valeur de gauchissement du substrat à pas plus de 1,0 mm après qu'il a subi un processus de meulage de surface inverse; un substrat lié en SiC; un substrat polycristallin en SiC; et un procédé de fabrication de substrat polycristallin en SiC.　Ce substrat pour dispositifs semi-conducteurs en SiC comporte, stratifiés séquentiellement, un substrat de support constitué de polycristaux de SiC, un substrat monocristallin en SiC lié à la surface du substrat de support, une couche épitaxiale monocristalline en SiC formée sur la surface du substrat monocristallin en SiC, et un constituant d'un élément semi-conducteur formé sur la couche épitaxiale monocristalline en SiC. La surface du substrat de support non liée au substrat monocristallin en SiC est une surface de sol, et la valeur de gauchissement de la surface de sol n'est pas supérieure à 1,0 mm. ＳｉＣ多結晶基板とＳｉＣ単結晶基板を接合した構造のＳｉＣ半導体装置用基板において、裏面研削加工後の基板の反り量を１．０ｍｍ以下に抑制することのできるＳｉＣ半導体装置用基板、ＳｉＣ接合基板、ＳｉＣ多結晶基板およびＳｉＣ多結晶基板の製造方法を提供する。　順に、ＳｉＣ多結晶からなる支持基板と、前記支持基板の表面に接合されたＳｉＣ単結晶基板と、前記ＳｉＣ単結晶基板の表面に形成されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル層と、前記ＳｉＣ単結晶エピタキシャル層上に形成された半導体素子の構成要素と、が積層したＳｉＣ半導体装置用基板において、前記支持基板の前記ＳｉＣ単結晶基板と接合していない面が研削面であり、前記研削面の反り量が１．０ｍｍ以下である、ＳｉＣ半導体装置用基板。