METHODS FOR RETAINING A PROCESSING LIQUID ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

• Main Authors: D'ELIA, Peter, HU, Shan
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Improved puddle processes and methods are provided herein for retaining a processing liquid on a surface of a semiconductor substrate. More specifically, improved methods are provided herein for retaining a puddle within a center region of a semiconductor substrate while the substrate is stationary, or rotating at relatively low rotational speeds. In the disclosed embodiments, a puddle is retained within a center region of the semiconductor substrate by a thin film, which is deposited within a peripheral edge region of the substrate before a processing liquid is dispensed within the center region of the substrate to form the puddle. La présente invention concerne des procédés et des méthodes améliorés de rétention d'un liquide de traitement sur la surface d'un substrat semi-conducteur. Plus précisément, l'invention porte sur des procédés améliorés permettant de retenir un bain dans une région centrale d'un substrat semi-conducteur alors que le substrat est stationnaire ou qu'il tourne à des vitesses de rotation relativement faibles. Dans les modes de réalisation décrits, un bain est retenu dans une région centrale du substrat semi-conducteur par un film mince, qui est déposé dans une région périphérique du substrat avant qu'un liquide de traitement ne soit distribué dans la région centrale du substrat pour former le bain.