SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

• Main Authors: WATANABE Jun, SHIMIZU Kan, SAITO Suguru, KANEGUCHI Tokihisa, FURUSE Shunsuke, YAMADA Taichi, YOSHIOKA Hirotaka, MOMIUCHI Yuriko, FUJII Nobutoshi, KOTOO Kengo, KOMAI Naoki, HORIKIRI Tatsuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This technology relates to a semiconductor substrate configured such that, when two substrates are bonded to each other, junction defects can be mitigated. This semiconductor substrate comprises: an insulating film; an electrode that is provided in the insulating film and that is joined to an electrode provided to another semiconductor substrate if this semiconductor substrate is bonded to the another semiconductor substrate; a barrier metal provided between the insulating film and the electrode; and a film provided between the barrier metal and the electrode. This technology can be applied to a device in which a plurality of semiconductor substrates are stacked, such as an image capture device. La présente technologie concerne un substrat semi-conducteur configuré de telle sorte que, lorsque deux substrats sont liés l'un à l'autre, des défauts de jonction peuvent être atténués. Ce substrat semi-conducteur comprend : un film isolant ; une électrode qui est disposée dans le film isolant et qui est jointe à une électrode disposée sur un autre substrat semi-conducteur si ce substrat semi-conducteur est lié à l'autre substrat semi-conducteur ; un métal barrière disposé entre le film isolant et l'électrode ; et un film disposé entre le métal barrière et l'électrode. Cette technologie peut être appliquée à un dispositif dans lequel une pluralité de substrats semi-conducteurs sont empilés, tels qu'un dispositif de capture d'image. 本技術は、２枚の基板を貼り合わせて構成する際に、接合不良を抑制することができるようにする半導体基板に関する。 絶縁膜と、他の半導体基板と貼り合わされた場合に、他の半導体基板に設けられている電極と接合される電極であり、絶縁膜内に設けられている電極と、絶縁膜と電極との間に設けられているバリアメタルと、バリアメタルと電極との間に設けられている膜とを備える。本技術は、複数の半導体基板を積層したデバイス、例えば撮像装置に適用できる。