SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: EGUSA Minoru, KAWAZOE Chika, FUJINO Junji, TAKISHITA Yuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A first solder and a second solder having a higher melting point than the first solder, are laminated between a first circuit element and a second circuit element. Solder joining of the first circuit element and the second circuit element is performed by heating the first solder and the second solder to a temperature between the melting point of the first solder and the melting point of the second solder. During the solder joining, a solder joint layer, in which a portion of the second solder diffuses into a liquid phase of the first solder and the second solder partially remains, is formed. Une première brasure et une seconde brasure ayant un point de fusion supérieur à celui de la première brasure, sont stratifiées entre un premier élément de circuit et un second élément de circuit. La jonction par brasure du premier élément de circuit et du second élément de circuit est effectuée par chauffage de la première brasure et de la seconde brasure à une température entre le point de fusion de la première brasure et le point de fusion de la seconde brasure. Pendant la jonction par soudure, une couche de joint de brasure, dans laquelle une partie de la seconde brasure se diffuse dans une phase liquide de la première brasure et la seconde brasure reste partiellement, est formée. 第１の回路要素と第２の回路要素との間に、第１のはんだと第１のはんだよりも融点の高い第２のはんだとを積層する。第１のはんだおよび第２のはんだを、第１のはんだの融点と第２のはんだの融点との間の温度に加熱することで、第１の回路要素と第２の回路要素とのはんだ接合を行う。はんだ接合の際、第２のはんだの一部が第１のはんだの液相へ拡散し、部分的に第２のはんだが残存するはんだ接合層が形成される。