METHOD FOR MANUFACTURING MICRODISPLAY PANEL

• Main Authors: SONG, Juneo, YUN, Hyeong Seon, HAN, Young Hun, MOON, Ji Hyung
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 15.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CABLES; CONDUCTORS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for manufacturing a microdisplay panel in which a process for aligning LED stacks and CMOS electrode pads is not required, the method comprising: a first step of preparing a support wafer and a front wafer disposed on the support wafer and including a light-emitting portion in which a group 3-5 compound semiconductor is epitaxially grown, and preparing a back wafer having a plurality of CMOS electrode pads aligned on the upper surface thereof; a second step of bonding the front wafer to the back wafer through a bonding layer so that the light-emitting portion faces the CMOS electrode pads, and then removing the support wafer; and a third step of etching the light-emitting portion and the bonding layer to separate same in preset units, whereby the plurality of LED stacks are respectively aligned on the plurality of CMOS electrode pads. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un panneau de micro-affichage dans lequel un processus d'alignement d'empilements de DEL et de plots d'électrode CMOS n'est pas nécessaire, le procédé comprenant : une première étape de préparation d'une tranche de support et d'une tranche avant disposée sur la tranche de support et comprenant une partie électroluminescente dans laquelle un semi-conducteur composé du groupe 3-5 est obtenu par croissance épitaxiale, et la préparation d'une tranche arrière ayant une pluralité de plots d'électrode CMOS alignés sur sa surface supérieure ; une deuxième étape consistant à lier la tranche avant à la tranche arrière par l'intermédiaire d'une couche de liaison de telle sorte que la partie électroluminescente fait face aux plots d'électrode CMOS, puis à retirer la tranche de support ; et une troisième étape consistant à graver la partie électroluminescente et la couche de liaison pour les séparer dans des unités prédéfinies, la pluralité d'empilements de DEL étant respectivement alignés sur la pluralité de plots d'électrode CMOS. 본 발명은 LED 적층체와 CMOS 전극 패드의 정렬 공정이 필요 없는 마이크로디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 지지 웨이퍼 및 상기 지지 웨이퍼 위에 배치되며 그룹3-5족 화합물 반도체가 에피택시(epitaxy) 성장된 발광부를 포함하는 프론트 웨이퍼를 준비하고, 상면에 복수의 CMOS 전극 패드가 정렬된 백 웨이퍼를 준비하는 제1 단계, 상기 발광부가 상기 CMOS 전극 패드 측을 향하도록, 상기 백 웨이퍼 위에 상기 프론트 웨이퍼를 접합층을 통해 접합시킨 후, 상기 지지 웨이퍼를 제거하는 제2 단계, 및 상기 발광부와 상기 접합층을 식각하여 기 설정된 단위로 분리시킴으로써, 복수의 상기 LED 적층체가 복수의 상기 CMOS 전극 패드 상에 각각 정렬되는 제3 단계를 포함한다.